Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Residual Máxima
20V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
500W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
8A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Longitud
2.2mm
Altura
1mm
Ancho
1.35mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5µA
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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$ 367
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 436,73
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 367
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$ 436,73
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Residual Máxima
20V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
500W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
8A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Longitud
2.2mm
Altura
1mm
Ancho
1.35mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5µA
País de Origen
Malaysia
Datos del producto