Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
US
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
6
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
20V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
8A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Altura
1mm
Longitud:
2.2mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
1.35mm
Corriente de fugas inversa máxima
5μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
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10
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Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
US
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
6
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
20V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
8A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Altura
1mm
Longitud:
2.2mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
1.35mm
Corriente de fugas inversa máxima
5μA
Estándar de automoción
No
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