Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de Producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
US
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
6
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
20V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
8A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Ancho
1.35 mm
Altura
1mm
Largo
2.2mm
Certificaciones y estándares
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
$ 1.365.000
$ 455 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.624.350
$ 541,45 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 1.365.000
$ 455 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.624.350
$ 541,45 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
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3000
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Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de Producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
US
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
6
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
20V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
8A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Ancho
1.35 mm
Altura
1mm
Largo
2.2mm
Certificaciones y estándares
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto


