Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Residual Máxima
25V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
500W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
5 x 4 x 1.5mm
Largo
5mm
Altura
1.5mm
Anchura
4mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10µA
Datos del producto
Supresores de sobretensión transitoria para protección ESD para datos de alta velocidad
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
10
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Residual Máxima
25V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
500W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
5 x 4 x 1.5mm
Largo
5mm
Altura
1.5mm
Anchura
4mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10µA
Datos del producto


