Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de Producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
25V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4 mm
Altura
1.5mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Supresores de sobretensión transitoria para protección ESD para datos de alta velocidad
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
10
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Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de Producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
25V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4 mm
Altura
1.5mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto


