Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
25V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
4mm
Corriente de fugas inversa máxima
10μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
25V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
4mm
Corriente de fugas inversa máxima
10μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto