Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
22V
Tensión Mínima de Ruptura
15V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tensión de Corte Inversa Máxima
12V
Conteo de Pines
6
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
3A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones
1.6 x 1.6 x 0.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
1.6mm
Altura
0.5mm
Ancho
1.6mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
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25
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Matriz compleja
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
22V
Tensión Mínima de Ruptura
15V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tensión de Corte Inversa Máxima
12V
Conteo de Pines
6
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
3A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones
1.6 x 1.6 x 0.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
1.6mm
Altura
0.5mm
Ancho
1.6mm
Corriente de Prueba
1mA
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