Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Residual Máxima
22V
Tensión Mínima de Ruptura
15V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tensión de Corte Inversa Máxima
12V
Conteo de Pines
6
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
3A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.6 x 1.6 x 0.5mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
1.6mm
Altura
0.5mm
Profundidad
1.6mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
25
P.O.A.
25
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onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Residual Máxima
22V
Tensión Mínima de Ruptura
15V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tensión de Corte Inversa Máxima
12V
Conteo de Pines
6
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
3A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.6 x 1.6 x 0.5mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
1.6mm
Altura
0.5mm
Profundidad
1.6mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto