Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
US
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
6
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
28A
Tensión de sujeción VC
20V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
40°C
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Altura
0.9mm
Longitud:
2mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
1.25mm
Corriente de fugas inversa máxima
5μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
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10
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onsemiConfiguración de diodo
Matriz compleja
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
US
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
6
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
28A
Tensión de sujeción VC
20V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
40°C
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Altura
0.9mm
Longitud:
2mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
1.25mm
Corriente de fugas inversa máxima
5μA
Estándar de automoción
No
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