Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
5.6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.7 x 1.3 x 0.6mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Longitud:
1.7mm
Altura
0.6mm
Profundidad
1.3mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Filtro EMI con protección contra descargas electroestáticas, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 503
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 598,57
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
$ 503
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 598,57
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
50 - 50 | $ 503 | $ 25.150 |
100 - 950 | $ 387 | $ 19.350 |
1000 - 3950 | $ 373 | $ 18.650 |
4000 - 7950 | $ 349 | $ 17.450 |
8000+ | $ 314 | $ 15.700 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
5.6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.7 x 1.3 x 0.6mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Longitud:
1.7mm
Altura
0.6mm
Profundidad
1.3mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto