Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 4,5 V
Altura
0.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 80
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 95,20
Each (On a Reel of 4000) (IVA Incluido)
4000
$ 80
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 95,20
Each (On a Reel of 4000) (IVA Incluido)
4000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
280 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 4,5 V
Altura
0.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto