MOSFET onsemi NTS4173PG, VDSS 30 V, ID 1,3 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-4761Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTS4173PT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10,1 nC a 10 V, 4,8 nC a 4,5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.9mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 463

Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 550,97

Each (Supplied as a Tape) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTS4173PG, VDSS 30 V, ID 1,3 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 11.575
50$ 16.450
75$ 24.675
100$ 32.900
125$ 26.875
150$ 32.250
175$ 37.625
200$ 43.000
225$ 48.375
250$ 48.500
275$ 53.350
300$ 58.200
325$ 63.050
350$ 67.900
375$ 72.750

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175$ 37.625
200$ 43.000
225$ 48.375
250$ 48.500
275$ 53.350
300$ 58.200
325$ 63.050
350$ 67.900
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
25 - 25$ 463$ 11.575
50 - 100$ 329$ 8.225
125 - 225$ 215$ 5.375
250 - 475$ 194$ 4.850
500+$ 193$ 4.825

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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1.5V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10,1 nC a 10 V, 4,8 nC a 4,5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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