MOSFET onsemi NTR5198NLG, VDSS 60 V, ID 2,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,1 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 380
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 452,20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 25 | $ 380 | $ 9.500 |
| 50 - 100 | $ 278 | $ 6.950 |
| 125 - 475 | $ 178 | $ 4.450 |
| 500 - 1225 | $ 156 | $ 3.900 |
| 1250+ | $ 133 | $ 3.325 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,1 nC a 10 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
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