MOSFET onsemi NTR5103NT1G, VDSS 60 V, ID 260 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.9V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 41
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 48,79
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | $ 41 | $ 123.000 |
| 9000 - 21000 | $ 34 | $ 102.000 |
| 24000 - 42000 | $ 31 | $ 93.000 |
| 45000 - 96000 | $ 26 | $ 78.000 |
| 99000+ | $ 26 | $ 78.000 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.9V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Altura
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