Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 478
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 568,82
Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)
25
$ 478
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$ 568,82
Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)
25
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
25 - 25 | $ 478 | $ 11.950 |
50 - 100 | $ 466 | $ 11.650 |
125 - 225 | $ 453 | $ 11.325 |
250 - 475 | $ 443 | $ 11.075 |
500+ | $ 430 | $ 10.750 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto