MOSFET onsemi NTR4170NT1G, VDSS 30 V, ID 2.4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
480 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4.76 nC @ 4.5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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$ 142
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 168,98
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
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2.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
480 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4.76 nC @ 4.5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
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1.01mm
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