Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
690 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,15 nC a 5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
100
P.O.A.
100
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
560 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
690 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,15 nC a 5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto