MOSFET onsemi NTR3C21NZT1G, VDSS 20 V, ID 3.6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
470 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17.8 nC @ 4.5 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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$ 190
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 226,10
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
470 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17.8 nC @ 4.5 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
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