Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
960 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
$ 6.700
$ 134 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 7.973
$ 159,46 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Estándar
50
$ 6.700
$ 134 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 7.973
$ 159,46 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
50
Volver a intentar más tarde
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 134 | $ 6.700 |
| 100 - 200 | $ 124 | $ 6.200 |
| 250 - 450 | $ 113 | $ 5.650 |
| 500 - 950 | $ 109 | $ 5.450 |
| 1000+ | $ 104 | $ 5.200 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
960 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto


