MOSFET onsemi NTR2101PT1G, VDSS 8 V, ID 3,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 790-5274Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTR2101PT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

8 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

120 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

960 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

1.4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.01mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 6.700

$ 134 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 7.973

$ 159,46 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
50 - 50$ 134$ 6.700
100 - 200$ 124$ 6.200
250 - 450$ 113$ 5.650
500 - 950$ 109$ 5.450
1000+$ 104$ 5.200

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P

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

120 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

960 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Largo

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

1.4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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