MOSFET onsemi NTP5864NG, VDSS 60 V, ID 63 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
10.28mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Ancho
15.75mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.82mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
20
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N
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
10.28mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Ancho
15.75mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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