MOSFET onsemi NTMFS6H818NT1G, VDSS 80 V, ID 123 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
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$ 2.362
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 2.810,78
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.8 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Altura
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