MOSFET onsemi NTMFS5C604NLT1G, VDSS 60 V, ID 276 A, SO-8FL de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
276 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SO-8FL
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.1mm
Longitud
6.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 3.118.500
$ 2.079 Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 3.711.015
$ 2.474,01 Each (On a Reel of 1500) (IVA Inc.)
1500
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N
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SO-8FL
Tipo de Montaje
Surface Mount
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
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120 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.1mm
Longitud
6.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.05mm
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