MOSFET onsemi NTMFS5C410NTG, VDSS 40 V, ID 300 A, DFN de 4 + Tab pines

Código de producto RS: 126-3472Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMFS5C410NT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

300 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

920 μΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

166000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 10 V

Altura

1.05mm

Serie

NTMFS5C410N

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET onsemi NTMFS5C410NTG, VDSS 40 V, ID 300 A, DFN de 4 + Tab pines
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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N

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920 μΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

166000 mW

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Ancho

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Longitud

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