MOSFET onsemi NTMFS4841NHTG, VDSS 30 V, ID 59 A, SO-8FL de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8FL
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
41.7 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,3 nC a 4,5 V, 24,4 nC a 11,5 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 960
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 1.142,40
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
$ 960
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 1.142,40
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8FL
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
41.7 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,3 nC a 4,5 V, 24,4 nC a 11,5 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products