MOSFET onsemi NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,7 nC a 4,5 V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
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$ 2.061
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 2.452,59
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
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N
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-60 V
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DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,7 nC a 4,5 V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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