MOSFET onsemi NTLJD4116NTG, VDSS 30 V, ID 2,5 A, WDFN de 6 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
2mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,4 nC a 4,5 V
Altura
0.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 368
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 437,92
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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6
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Mejora
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1V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
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±8 V
Profundidad
2mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
2mm
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Altura
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