Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 38
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 45,22
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 38
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$ 45,22
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto