MOSFET onsemi NTJD4152PG, VDSS 20 V, ID 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 118
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 140,42
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Tipo de montaje
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1 Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
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Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud:
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