MOSFET onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1728790
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 172-8790Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTHL082N65S3F

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

82 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.82mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

81 nC a 10 V

Altura

20.82mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

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$ 9.134

Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)

$ 10.869,46

Each (In a Tube of 450) (IVA Incluido)

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450

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onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

82 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.82mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

81 nC a 10 V

Altura

20.82mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V