Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
446 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
158 nC a 10 V
Ancho
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
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$ 12.268
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 14.598,92
Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)
30
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Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)
30
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
30 - 90 | $ 12.268 | $ 368.040 |
120 - 240 | $ 11.945 | $ 358.350 |
270 - 480 | $ 11.640 | $ 349.200 |
510+ | $ 11.349 | $ 340.470 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
446 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
158 nC a 10 V
Ancho
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China