MOSFET onsemi NTHD4102PG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,6 nC a 4,5 V
Ancho
1.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 1.113
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 1.324,47
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|---|---|---|
| 25 - 25 | $ 1.113 | $ 27.825 |
| 50 - 100 | $ 839 | $ 20.975 |
| 125 - 225 | $ 636 | $ 15.900 |
| 250 - 475 | $ 634 | $ 15.850 |
| 500+ | $ 630 | $ 15.750 |
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P
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Tipo de Encapsulado
ChipFET
Tipo de montaje
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
170 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
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±8 V
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2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
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Ancho
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