Transistor MOSFET onsemi NTH4L080N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247-4 de 4 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Series
NTH
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.11 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.3V
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1
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$ 2.961.000
$ 6.580 Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)
$ 3.523.590
$ 7.830,20 Each (In a Tube of 450) (IVA Inc.)
450
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