Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
NTH
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.11 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.3V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
P.O.A.
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Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Tubo)
2
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
NTH
Tipo de Encapsulado
TO-247-4
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.11 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.3V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC


