MOSFET onsemi NTE4153NT1G, VDSS 20 V, ID 915 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
950 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±6 V
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,82 nC a 4,5 V
Profundidad
0.95mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
0.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
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$ 108
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 128,52
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
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915 mA
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Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
950 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±6 V
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,82 nC a 4,5 V
Profundidad
0.95mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Estándar de automoción
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