MOSFET onsemi NTD5C446NT4G, VDSS 40 V, ID 110 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-8346Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTD5C446NT4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

66 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34,3 nC a 10 V

Altura

2.25mm

Serie

NTD5C446N

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 1.647

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.959,93

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

66 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34,3 nC a 10 V

Altura

2.25mm

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