MOSFET onsemi NTD5C434NT4G, VDSS 40 V, ID 160 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
160 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
120000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Vietnam
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 5.498
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 6.542,62
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
$ 5.498
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 6.542,62
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | $ 5.498 | $ 13.745.000 |
| 5000+ | $ 5.317 | $ 13.292.500 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
160 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
120000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Vietnam
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products