MOSFET onsemi NTD5865NLG, VDSS 60 V, ID 40 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 719-2894Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTD5865NLT4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.73mm

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.38mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 1.648

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.961,12

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTD5865NLG, VDSS 60 V, ID 40 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 8.240
10$ 16.480
15$ 24.720
20$ 32.960
25$ 27.025
30$ 32.430
35$ 37.835
40$ 43.240
45$ 48.645
50$ 54.050
55$ 59.455
60$ 64.860
65$ 70.265
70$ 75.670
75$ 81.075

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35$ 37.835
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45$ 48.645
50$ 54.050
55$ 59.455
60$ 64.860
65$ 70.265
70$ 75.670
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 1.648$ 8.240
25 - 120$ 1.081$ 5.405
125 - 620$ 751$ 3.755
625 - 1245$ 687$ 3.435
1250+$ 669$ 3.345

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

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±20 V

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Longitud

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Profundidad

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Si

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