MOSFET onsemi NTD3055L104T4G, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 463-325PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTD3055L104T4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

104 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,4 nC a 5 V

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

2.38mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTD3055L104T4G, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

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N

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

104 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,4 nC a 5 V

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

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1

Longitud

6.73mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

2.38mm

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