MOSFET onsemi NTD2955TG, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Czech Republic
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 656
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 780,64
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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55000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
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1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.73mm
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15 nC a 10 V
Altura
2.38mm
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