MOSFET onsemi NTD2955-1G, VDSS 60 V, ID 12 A, IPAK (TO-251) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
2.38mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
6.35mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
75
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
2.38mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
6.35mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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