Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
0.9mm
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
0.9mm
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto