MOSFET onsemi NTA4153NG, VDSS 20 V, ID 915 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 773-7872Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTA4153NT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

915 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-6 V, +6 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

0.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,82 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

1.6mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.8mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 378

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 449,82

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTA4153NG, VDSS 20 V, ID 915 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 3.780
20$ 7.560
30$ 11.340
40$ 15.120
50$ 18.900
60$ 22.680
70$ 26.460
80$ 30.240
90$ 34.020
100$ 26.000
110$ 28.600
120$ 31.200
130$ 33.800
140$ 36.400
150$ 39.000

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70$ 26.460
80$ 30.240
90$ 34.020
100$ 26.000
110$ 28.600
120$ 31.200
130$ 33.800
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150$ 39.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 378$ 3.780
100 - 190$ 260$ 2.600
200 - 740$ 164$ 1.640
750 - 1490$ 143$ 1.430
1500+$ 124$ 1.240

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

915 mA

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Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-6 V, +6 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

0.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,82 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

1.6mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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