MOSFET onsemi NTA4001NG, VDSS 20 V, ID 240 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-0494PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTA4001NT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

240 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1.65mm

Profundidad

0.9mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.8mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

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N

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Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1.65mm

Profundidad

0.9mm

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Si

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