Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
150 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
8 V
Tipo de Encapsulado
MCPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
16 GHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.6 x 0.85mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
150 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
8 V
Tipo de Encapsulado
MCPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
16 GHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.6 x 0.85mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China