Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
15V
Tensión Mínima de Ruptura
3.2V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
UDFN
Conteo de Pines
10
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
35A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
8
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.5 x 2 x 0.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Altura
0.5mm
Profundidad
2mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
500nA
Tensión de trabajo
3V
Capacitancia
5pF
Longitud
3.5mm
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
15V
Tensión Mínima de Ruptura
3.2V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
UDFN
Conteo de Pines
10
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
35A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
8
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.5 x 2 x 0.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Altura
0.5mm
Profundidad
2mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
500nA
Tensión de trabajo
3V
Capacitancia
5pF
Longitud
3.5mm