onsemi Circuito integrado de controlador de factor de potencia NIS5132MN2TXG 1 MHz DFN, 10 pines 25 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
Circuito integrado de controlador de factor de potencia
Tipo Sub
Power Factor Controller
Máxima corriente absorbida
-25μA
Frecuencia de conmutación
1MHz
Corriente de suministro
3.6A
Detección de potencia nula
No
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de paquete
DFN
Tensión de alimentación mínima
-0.6V
Número de pines
10
Máxima Tensión de Alimentación
25V
Temperatura Mínima de Operación
-40°C
Longitud:
3mm
Certificaciones y estándares
No
Series
NIS5132M
Profundidad
3 mm
Altura
0.95mm
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Fusible electrónico, ON Semiconductor
Dispositivo de alimentación integrado
Dispositivo de potencia con protección térmica
No se requiere derivación corriente externa
Intervalo de entrada: 9 V a 18 V
Bomba de carga interna
Una resistencia establece el límite de corriente
Un condensador programa los tiempos de subida de la salida al encendido (sólo NIS5132)
Voltage & Current Management, ON Semiconductor
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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1MHz
Corriente de suministro
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No
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Surface
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DFN
Tensión de alimentación mínima
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Máxima Tensión de Alimentación
25V
Temperatura Mínima de Operación
-40°C
Longitud:
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No
Series
NIS5132M
Profundidad
3 mm
Altura
0.95mm
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Fusible electrónico, ON Semiconductor
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Dispositivo de potencia con protección térmica
No se requiere derivación corriente externa
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