Controlador de factor de potencia NIS5132MN2TXG, 1 MHz DFN, 10 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiFrecuencia de Conmutación Máxima
1 MHz
Interfaz
Circuito integrado de controlador de factor de potencia
Corriente Máxima de Sumidero
-25µA
Corriente de Alimentación Máxima
3.6 A
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Conteo de Pines
10
Dimensiones del Cuerpo
3 x 3 x 0.95mm
Altura
0.95mm
Longitud
3mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
25 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
3mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
-0.6 V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Fusible electrónico, ON Semiconductor
Dispositivo de alimentación integrado
Dispositivo de potencia con protección térmica
No se requiere derivación corriente externa
Intervalo de entrada: 9 V a 18 V
Bomba de carga interna
Una resistencia establece el límite de corriente
Un condensador programa los tiempos de subida de la salida al encendido (sólo NIS5132)
Voltage & Current Management, ON Semiconductor
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$ 691
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 822,29
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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3000
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 691 | $ 2.073.000 |
| 6000+ | $ 690 | $ 2.070.000 |
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Corriente de Alimentación Máxima
3.6 A
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Conteo de Pines
10
Dimensiones del Cuerpo
3 x 3 x 0.95mm
Altura
0.95mm
Longitud
3mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
25 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
3mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
-0.6 V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Fusible electrónico, ON Semiconductor
Dispositivo de alimentación integrado
Dispositivo de potencia con protección térmica
No se requiere derivación corriente externa
Intervalo de entrada: 9 V a 18 V
Bomba de carga interna
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