Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiFrecuencia de Conmutación Máxima
1 MHz
Interfaz
Circuito integrado de controlador de factor de potencia
Corriente Máxima de Sumidero
-25µA
Corriente de Alimentación Máxima
3.6 A
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Conteo de Pines
10
Dimensiones del Cuerpo
3 x 3 x 0.95mm
Altura
0.95mm
Longitud:
3mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Profundidad
3mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
-0.6 V
Datos del producto
Fusible electrónico, ON Semiconductor
Dispositivo de alimentación integrado
Dispositivo de potencia con protección térmica
No se requiere derivación corriente externa
Intervalo de entrada: 9 V a 18 V
Bomba de carga interna
Una resistencia establece el límite de corriente
Un condensador programa los tiempos de subida de la salida al encendido (sólo NIS5132)
Voltage & Current Management, ON Semiconductor
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
onsemiFrecuencia de Conmutación Máxima
1 MHz
Interfaz
Circuito integrado de controlador de factor de potencia
Corriente Máxima de Sumidero
-25µA
Corriente de Alimentación Máxima
3.6 A
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Conteo de Pines
10
Dimensiones del Cuerpo
3 x 3 x 0.95mm
Altura
0.95mm
Longitud:
3mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Profundidad
3mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
-0.6 V
Datos del producto
Fusible electrónico, ON Semiconductor
Dispositivo de alimentación integrado
Dispositivo de potencia con protección térmica
No se requiere derivación corriente externa
Intervalo de entrada: 9 V a 18 V
Bomba de carga interna
Una resistencia establece el límite de corriente
Un condensador programa los tiempos de subida de la salida al encendido (sólo NIS5132)