Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
366 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 6.028
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 7.173,32
Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)
30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
30 - 90 | $ 6.028 | $ 180.840 |
120 - 240 | $ 4.834 | $ 145.020 |
270 - 480 | $ 4.569 | $ 137.070 |
510+ | $ 4.285 | $ 128.550 |
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Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
366 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.