Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
160 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
454 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.25 x 5.3 x 21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Capacitancia de puerta
4912pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 8.971
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 10.675,49
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
2 - 8 | $ 8.971 | $ 17.942 |
10 - 98 | $ 7.619 | $ 15.238 |
100 - 248 | $ 6.100 | $ 12.200 |
250 - 498 | $ 5.756 | $ 11.512 |
500+ | $ 5.406 | $ 10.812 |
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Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
160 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
454 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.25 x 5.3 x 21.34mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Capacitancia de puerta
4912pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.